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摘要 本實驗使用反應式離子束濺鍍法來沉積氧化銦錫薄膜於玻璃基板上，在室溫狀態下，分別透過改變氧氣流量、陽極電壓以及基板與靶材距離，來觀察不同製程參數下薄膜特性的變化。隨著氧氣流量增加，氧氣的低濺…
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使用反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅鎂薄膜已成功的被製作。本論文將使用反應氣體氧氣參與離子束濺鍍Mg0.1Zn0.9金屬靶材，以（111）矽基板溫度360、400及500℃成長氧化鋅鎂薄膜MgxZn1-…
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本文是以反應性離子束濺鍍法成長氧化鋅薄膜，嘗試在兩種不同反應濺鍍環境:一是“氧氣直接通入腔體”；另一是“氧及氬氣同時通入離子槍”作反應性濺鍍，並探討通入氧流量的多寡對薄膜性質、光學、結構的影響。在未…
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此實驗以反應式離子束濺鍍法成長氧化銀薄膜，採用毛細式離子源(6∼8 kV、100∼500 uA)及陽極層離子源 (0.7 kV、13.5 mA) ，同時通入氬氣及氧氣，氬氣為濺鍍氣體，氧氣為反應氣體…
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使用毛細式離子源濺鍍氧化鋅靶，沉積氧化鋅薄膜於晶向(100)矽基板上，隨後於氧與氮氣氛下退火，討論不同退火條件對氧化鋅薄膜特性之影響。 XRD顯示未退火之氧化鋅薄膜無任何繞射峰值，ZnO(002)繞…
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本實驗為利用射頻磁控濺鍍法沉積鋅薄膜，藉由調變射頻功率及靶材至基板的距離可控制鋅薄膜的結晶及表面型貌。實驗結果顯示多晶鋅薄膜在經450 ℃熱氧化可成長較多垂直於基板的氧化鋅奈米線，其平均長度約為4 …
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本研究提出了一種整合式陽極層離子源離子束濺鍍模組(Integrated Anode Layer Ion Source Ion Beam Sputtering Module, IAIBS)，並建立粒子…
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本實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積氧化銀，藉由調變不同離子束能量、沉積溫度及氧氣分壓(Opf)來沉積氧化銀薄膜，之後再將鋁摻入薄膜觀察其變化。XRD分析在陽極電壓700 V下沉積，在Opf = 100…
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本研究以雙離子槍反應式離子束濺鍍法沉積摻鉺氧化鋅薄膜，藉由控制靶材所照射的離子電流以控制濺擊產率而達到控制鉺摻雜濃度之目的。在本實驗中摻鉺的氧化鋅薄膜可以得到位於近紅外範圍之1.0 (4I11/2 …
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本文使用反應式離子束濺鍍沉積法，在晶向(100)的矽基板上成長氧化鋅薄膜，觀察不同成長溫度、氧通量和基板偏壓對薄膜造成的影響。300℃時，有弱的近能隙發光和強的綠光缺陷發光；500℃時，有強的近能隙…